Superhard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F03%3A00000072" target="_blank" >RIV/49777513:23520/03:00000072 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Superhard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Popis výsledku v původním jazyce

The new quaternary Si-B-C-N materials attract great interest due to their potential applications in microelectronics and coating technologies. These materials can possess a useful set of properties, such as very highhardness, extremely high temperature resistance chemical inertness , a wide optical transparency window and wide band gap characteristics. Various deposition techniques, mostly based on chemical vapour deposition at elevated temperatures or a polymer precursor pyrolysis, were used to prep aramorphous or crystalline Si-B-C-N ceramics. In our experiment we have used the reactive magnetron sputtering, one of the most versatile techniques compatible with semiconductor technologies. Its further important advantages are an easy up-scalingrad l owedeposition temperatures, which are often desirable for practical applications.

Název v anglickém jazyce

Superhard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Popis výsledku anglicky

The new quaternary Si-B-C-N materials attract great interest due to their potential applications in microelectronics and coating technologies. These materials can possess a useful set of properties, such as very highhardness, extremely high temperature resistance chemical inertness , a wide optical transparency window and wide band gap characteristics. Various deposition techniques, mostly based on chemical vapour deposition at elevated temperatures or a polymer precursor pyrolysis, were used to prep aramorphous or crystalline Si-B-C-N ceramics. In our experiment we have used the reactive magnetron sputtering, one of the most versatile techniques compatible with semiconductor technologies. Its further important advantages are an easy up-scalingrad l owedeposition temperatures, which are often desirable for practical applications.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the XIVth Symposium on Application of Plasma Processes

ISBN

8080401950

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

130-131

Název nakladatele

Military Academy

Místo vydání

Liptovský Mikuláš

Místo konání akce

Liptovský Mikuláš

Datum konání akce

13. 1. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—