Pulsed dc dual magnetron with a gas injection inside discharge and tilted sputtering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F03%3A00000073" target="_blank" >RIV/49777513:23520/03:00000073 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Pulsed dc dual magnetron with a gas injection inside discharge and tilted sputtering

Popis výsledku v původním jazyce

Main problem in dc reactive magnetron sputtering of insulating films are target poisoning, hysteresis effect and process instabilities due to micro-arcing on the target surface. These problems can be overcome when pulsed magnetron sputtering is used. Toachieve the high values of a deposition rate of films the magnetron must operate under a very high-power loading of its target. This results in problems with target cooling and rarefaction of the sputtering gas in front of the magnetron target. This study is devoted to sputtering of copper films using a pulsed dual magnetron with gas injection inside the discharge.

Název v anglickém jazyce

Pulsed dc dual magnetron with a gas injection inside discharge and tilted sputtering

Popis výsledku anglicky

Main problem in dc reactive magnetron sputtering of insulating films are target poisoning, hysteresis effect and process instabilities due to micro-arcing on the target surface. These problems can be overcome when pulsed magnetron sputtering is used. Toachieve the high values of a deposition rate of films the magnetron must operate under a very high-power loading of its target. This results in problems with target cooling and rarefaction of the sputtering gas in front of the magnetron target. This study is devoted to sputtering of copper films using a pulsed dual magnetron with gas injection inside the discharge.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20529" target="_blank" >ME 529: Nanostrukturní tenké vrstvy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the XIVth Symposium on Application of Plasma Processes

ISBN

8080401950

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

49-50

Název nakladatele

Military Academy

Místo vydání

Liptovský Mikuláš

Místo konání akce

Liptovský Mikuláš

Datum konání akce

13. 1. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—