HIGH-RATE REACTIVE SPUTTERING OF DIELECTRIC STOICHIOMETRIC FILMS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F15%3A43926879" target="_blank" >RIV/49777513:23520/15:43926879 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

HIGH-RATE REACTIVE SPUTTERING OF DIELECTRIC STOICHIOMETRIC FILMS

Popis výsledku v původním jazyce

The present invention overcomes the well-known problems of reactive magnetron sputtering, even when high power impulse magnetron sputtering a metal target is used, by providing a reactive sputtering processing system and method that controls a pulsed reactive gas flow rate into a vacuum chamber at a constant target voltage, kept by a power supply, to promote a high-rate deposition of dielectric stoichiometric films in a transition region between a metallic mode and a covered (poisoned) mode. For a giventarget material and reactive process gas, one of the two process parameters (namely, the target current, alternatively the average target current in a period of a pulsed power supply, or the reactive gas partial pressure in the vacuum chamber), which are simultaneously monitored in time by a process controller, is selected as a control process parameter. For a given nominal target power, and the target material and the reactive process gas, an optimized constant target voltage, non-reac

Název v anglickém jazyce

HIGH-RATE REACTIVE SPUTTERING OF DIELECTRIC STOICHIOMETRIC FILMS

Popis výsledku anglicky

The present invention overcomes the well-known problems of reactive magnetron sputtering, even when high power impulse magnetron sputtering a metal target is used, by providing a reactive sputtering processing system and method that controls a pulsed reactive gas flow rate into a vacuum chamber at a constant target voltage, kept by a power supply, to promote a high-rate deposition of dielectric stoichiometric films in a transition region between a metallic mode and a covered (poisoned) mode. For a giventarget material and reactive process gas, one of the two process parameters (namely, the target current, alternatively the average target current in a period of a pulsed power supply, or the reactive gas partial pressure in the vacuum chamber), which are simultaneously monitored in time by a process controller, is selected as a control process parameter. For a given nominal target power, and the target material and the reactive process gas, an optimized constant target voltage, non-reac

Druh

P - Patent

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

EP2770083

Vydavatel

EPO_1 -

Název vydavatele

European Patent Office

Místo vydání

Munich, The Hague, Berlin, Vienna, Brussels

Stát vydání

—

Datum přijetí

18. 11. 2015

Název vlastníka

Západočeská univerzita v Plzni, TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o.

Způsob využití

B - Výsledek je využíván orgány státní nebo veřejné správy

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence