Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High-temperature behavior of Ta-Si-N thin films with a high content of Si

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F03%3A00000136" target="_blank" >RIV/49777513:23520/03:00000136 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High-temperature behavior of Ta-Si-N thin films with a high content of Si

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Ta-Si-N films are used as diffusion barriers between Cu and Si in VLSI technology because they are amorphous and exhibit a good thermal stability. Due to good mechanical properties and a high oxidation resistance, the Ta-Si-N films are also used as pro tective coatings. Si stabilizes an amorphous structure in the film, improves its mechanical properties, such as hardness and adhesion strength.

  • Název v anglickém jazyce

    High-temperature behavior of Ta-Si-N thin films with a high content of Si

  • Popis výsledku anglicky

    Ta-Si-N films are used as diffusion barriers between Cu and Si in VLSI technology because they are amorphous and exhibit a good thermal stability. Due to good mechanical properties and a high oxidation resistance, the Ta-Si-N films are also used as pro tective coatings. Si stabilizes an amorphous structure in the film, improves its mechanical properties, such as hardness and adhesion strength.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ME%20529" target="_blank" >ME 529: Nanostrukturní tenké vrstvy</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    JUNIORMAT '03

  • ISBN

    80-214-2462-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    60-61

  • Název nakladatele

    University of Technology

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    23. 9. 2003

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku