High-temperature behavior of Ta-Si-N thin films with a high content of Si

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F03%3A00000136" target="_blank" >RIV/49777513:23520/03:00000136 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High-temperature behavior of Ta-Si-N thin films with a high content of Si
Popis výsledku v původním jazyce
Ta-Si-N films are used as diffusion barriers between Cu and Si in VLSI technology because they are amorphous and exhibit a good thermal stability. Due to good mechanical properties and a high oxidation resistance, the Ta-Si-N films are also used as pro tective coatings. Si stabilizes an amorphous structure in the film, improves its mechanical properties, such as hardness and adhesion strength.
Název v anglickém jazyce
High-temperature behavior of Ta-Si-N thin films with a high content of Si
Popis výsledku anglicky
Ta-Si-N films are used as diffusion barriers between Cu and Si in VLSI technology because they are amorphous and exhibit a good thermal stability. Due to good mechanical properties and a high oxidation resistance, the Ta-Si-N films are also used as pro tective coatings. Si stabilizes an amorphous structure in the film, improves its mechanical properties, such as hardness and adhesion strength.

Projekt
<a href="/cs/project/ME%20529" target="_blank" >ME 529: Nanostrukturní tenké vrstvy</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)