Thermal annealing of sputtered Al-Si-Cu-N films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F03%3A00000139" target="_blank" >RIV/49777513:23520/03:00000139 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thermal annealing of sputtered Al-Si-Cu-N films

Popis výsledku v původním jazyce

This article reports on stress, structure and thermal stability of Al-Si-Cu-N films prepared by DC reactive magnetron sputtering. The films were deposited under the following conditions: discharge current Id=1A, substrate bias Us=-100V, substrate ion current density is=0,6 and 0,9mA/cm2, substrate temperature Ts=300 deg.C and 500 deg.C, substrate-to-target distance ds-t=60 mm, partial pressure of nitrogen pN2 ranging from 0,06 to 0,14Pa and constanttotal pressure pT=pAr+pN2=0,5 Pa.

Název v anglickém jazyce

Thermal annealing of sputtered Al-Si-Cu-N films

Popis výsledku anglicky

This article reports on stress, structure and thermal stability of Al-Si-Cu-N films prepared by DC reactive magnetron sputtering. The films were deposited under the following conditions: discharge current Id=1A, substrate bias Us=-100V, substrate ion current density is=0,6 and 0,9mA/cm2, substrate temperature Ts=300 deg.C and 500 deg.C, substrate-to-target distance ds-t=60 mm, partial pressure of nitrogen pN2 ranging from 0,06 to 0,14Pa and constanttotal pressure pT=pAr+pN2=0,5 Pa.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

72

Číslo periodika v rámci svazku

—

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

21-28

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—