Physical and mechanical properties of sputtered Ta-Si-N films with a high content of Si

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F03%3A00000234" target="_blank" >RIV/49777513:23520/03:00000234 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Physical and mechanical properties of sputtered Ta-Si-N films with a high content of Si

Popis výsledku v původním jazyce

This article reports on ternary Ta-Si-N films with a high content of Si sputtered from an alloyed TaSi2 target using an unbalanced dc magnetron. The films were deposited under the following conditions: magnetron discharge current Id=1 and 2A, negative substrate bias Us, ranging from Ufl to -500V, substrate ion current density is=0.5 and 1mA/cm2, substrate temperature Ts ranging from 200 to 1000oC, substrate-to-terget distance ds-t=60mm, partial pressure of nitrogen pN2 ranging from 0 to 0.7 Pa and twovalues of a total pressure pT=PAr+pN2=0.5 and 0.7 Pa.

Název v anglickém jazyce

Physical and mechanical properties of sputtered Ta-Si-N films with a high content of Si

Popis výsledku anglicky

This article reports on ternary Ta-Si-N films with a high content of Si sputtered from an alloyed TaSi2 target using an unbalanced dc magnetron. The films were deposited under the following conditions: magnetron discharge current Id=1 and 2A, negative substrate bias Us, ranging from Ufl to -500V, substrate ion current density is=0.5 and 1mA/cm2, substrate temperature Ts ranging from 200 to 1000oC, substrate-to-terget distance ds-t=60mm, partial pressure of nitrogen pN2 ranging from 0 to 0.7 Pa and twovalues of a total pressure pT=PAr+pN2=0.5 and 0.7 Pa.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20529" target="_blank" >ME 529: Nanostrukturní tenké vrstvy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Workshop on Designing Interfacial Structures in Advanced Materials and their Joints

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

51-57

Název nakladatele

University of Vienna

Místo vydání

Vienna

Místo konání akce

Vienna

Datum konání akce

13. 7. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—