Srovnání vysokoteplotní oxidační odolnosti amorfních vrstev Zr-Si-N a W-Si-N s vysokým obsahem Si

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F06%3A00000320" target="_blank" >RIV/49777513:23520/06:00000320 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49777513:23520/06:00000072

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Difference in high-temperature oxidation resistance of amorphous Zr-Si-N and W-Si-N films with a high Si content

Popis výsledku v původním jazyce

The high-temperature oxidation resistance of amorphous Zr-Si-N and W-Si-N films with a high Si content deposited by reactive dc magnetron sputtering at different partial pressures of nitrogen was systematically investigated by means of a symmetrical high-resolution thermogravimetry in a flowing air up to an annealing temperature of 1300°C. Additional analyses including X-ray diffraction, light optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and microhardness measurement were carried out as well. The obtained results showed an excellent high-temperature oxidation resistance of the Zr-Si-N films up to 1300°C, a considerably lower oxidation resistance of the W-Si-N films. The W-Si-N films are completely oxidized at 800°C with asubsequent volatilization of unstable WOx oxides.

Název v anglickém jazyce

Difference in high-temperature oxidation resistance of amorphous Zr-Si-N and W-Si-N films with a high Si content

Popis výsledku anglicky

The high-temperature oxidation resistance of amorphous Zr-Si-N and W-Si-N films with a high Si content deposited by reactive dc magnetron sputtering at different partial pressures of nitrogen was systematically investigated by means of a symmetrical high-resolution thermogravimetry in a flowing air up to an annealing temperature of 1300°C. Additional analyses including X-ray diffraction, light optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and microhardness measurement were carried out as well. The obtained results showed an excellent high-temperature oxidation resistance of the Zr-Si-N films up to 1300°C, a considerably lower oxidation resistance of the W-Si-N films. The W-Si-N films are completely oxidized at 800°C with asubsequent volatilization of unstable WOx oxides.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GP106%2F03%2FD009" target="_blank" >GP106/03/D009: Reaktivní depozice a charakterizace tenkých vrstev na bázi nových sloučenin</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Surface Science

ISSN

0169-4332

e-ISSN

—

Svazek periodika

—

Číslo periodika v rámci svazku

—

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

8319

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—