Nové kvaternární tenké vrstvy Si-B-C-N připravené reaktivním magnetronovým naprašováním

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F06%3A00000511" target="_blank" >RIV/49777513:23520/06:00000511 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
New quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering
Popis výsledku v původním jazyce
Novel quaternary Si-B-C-N films were fabricated using dc magnetron co-sputtering of silicon, boron and carbon from a single C-Si-B or B4C-Si target in nitrogen-argon gas mixtures at substrate temperatures of 180-350 °C. The films, typically 2-5 µmthick, were found to be amorphous in nanostructure with a low compressive stress (around 1 GPa) and good adhesion to substrates. They exhibited high hardness (up to 45 GPa) and elastic recovery (up to 85%), and extremely high oxidation resistance in airat elevated temperatures (up to a 1350 °C substrate limit).
Název v anglickém jazyce
New quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering
Popis výsledku anglicky
Novel quaternary Si-B-C-N films were fabricated using dc magnetron co-sputtering of silicon, boron and carbon from a single C-Si-B or B4C-Si target in nitrogen-argon gas mixtures at substrate temperatures of 180-350 °C. The films, typically 2-5 µmthick, were found to be amorphous in nanostructure with a low compressive stress (around 1 GPa) and good adhesion to substrates. They exhibited high hardness (up to 45 GPa) and elastic recovery (up to 85%), and extremely high oxidation resistance in airat elevated temperatures (up to a 1350 °C substrate limit).

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)