Vliv předpětí na substrátech na strukturu a vlastnosti vrstev tvrdých materiálů Si-B-C-N připravených reaktivním magnetronovým naprašováním

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F07%3A00000199" target="_blank" >RIV/49777513:23520/07:00000199 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61389005:_____/07:00097603

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Popis výsledku v původním jazyce

The paper deals with the effect of the rf induced negative substrate bias voltage,Ub, on characteristics of novel quaternary Si-B-C-N films. The films were found to be amorphous with hardness up to 44 GPa, modified Young's modulus between 170 and 280 GPa, elastic recovery up to 82%, and good adhesion to substrates at a low compressive stress (0.6-1.8 GPa). A beneficial role of silicon in reducing the compressive stress in the films was proved. Electrical conductivity of the semiconductive Si-B-C-N filmswith a high carbon content was controlled by the nitrogen-argon gas mixture composition and the Ub values.

Název v anglickém jazyce

Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Popis výsledku anglicky

The paper deals with the effect of the rf induced negative substrate bias voltage,Ub, on characteristics of novel quaternary Si-B-C-N films. The films were found to be amorphous with hardness up to 44 GPa, modified Young's modulus between 170 and 280 GPa, elastic recovery up to 82%, and good adhesion to substrates at a low compressive stress (0.6-1.8 GPa). A beneficial role of silicon in reducing the compressive stress in the films was proved. Electrical conductivity of the semiconductive Si-B-C-N filmswith a high carbon content was controlled by the nitrogen-argon gas mixture composition and the Ub values.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Svazek periodika

—

Číslo periodika v rámci svazku

—

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

29

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—