Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Pulsed Magnetron Sputtering of Metallic Films Using a Hot Target

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F09%3A00502104" target="_blank" >RIV/49777513:23520/09:00502104 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/49777513:23640/09:00502104

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Pulsed Magnetron Sputtering of Metallic Films Using a Hot Target

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Pulsed magnetron sputtering of titanium films was performed using a directly water-cooled target and a hot target of 100 mm diameter to investigate the effect of the target temperature on the sputtering process. The repetition frequency of the pulsed dcpower supply was 10 kHz at a 20% duty cycle and an argon pressure of 0.5 Pa. Almost constant target temperatures during depositions with the hot target, being heated by ion bombardment itself, were controlled by preset values of the average pulse currentat a target power density in a pulse up to 340 W per square centimeter. It has been shown that an increase in the surface temperature of the hot target resulted in a rise in the deposition rate (up to 1.9 times) at a decreasing average pulse voltage (upto 1.5 times) compared to the cooled target with the same average pulse target current density (up to 0.33 A per square centimeter).

  • Název v anglickém jazyce

    Pulsed Magnetron Sputtering of Metallic Films Using a Hot Target

  • Popis výsledku anglicky

    Pulsed magnetron sputtering of titanium films was performed using a directly water-cooled target and a hot target of 100 mm diameter to investigate the effect of the target temperature on the sputtering process. The repetition frequency of the pulsed dcpower supply was 10 kHz at a 20% duty cycle and an argon pressure of 0.5 Pa. Almost constant target temperatures during depositions with the hot target, being heated by ion bombardment itself, were controlled by preset values of the average pulse currentat a target power density in a pulse up to 340 W per square centimeter. It has been shown that an increase in the surface temperature of the hot target resulted in a rise in the deposition rate (up to 1.9 times) at a decreasing average pulse voltage (upto 1.5 times) compared to the cooled target with the same average pulse target current density (up to 0.33 A per square centimeter).

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Society of Vacuum Coaters: Technical Conference Proceedings

  • ISBN

    978-1-878068-29-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Society of Vacuum Coaters

  • Místo vydání

    Santa Clara

  • Místo konání akce

    Santa Clara

  • Datum konání akce

    14. 5. 2009

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku