Thermal stability of magnetron sputtered Si-B-C-N materials at temperatures up to 1700 °C

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F10%3A00503542" target="_blank" >RIV/49777513:23520/10:00503542 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thermal stability of magnetron sputtered Si-B-C-N materials at temperatures up to 1700 °C

Popis výsledku v původním jazyce

Thermal stability of deposited Si-B-C-N materials (film fragments or powders without a substrate) in inert gases (He and Ar) up to 1700 °C was investigated using differential scanning calorimetry, high-resolution thermogravimetry and X-ray diffraction measurements. Amorphous Si-B-C-N films were fabricated by dc magnetron co-sputtering of a single B4C-Si target in two nitrogen-argon gas mixtures (50% N2 + 50% Ar or 25% N2 + 75% Ar). It was found that the deposited Si-B-C-N materials can be more stable athigh temperatures in the inert atmosphere than the usually used substrates (e.g. SiC or BN). The materials with the compositions (in at.%) Si32-33B10C2N50-51, for which N/(Si+B+C)=1.1-1.2, retained their amorphous structure up to 1600 °C without any structural transformations and detectable mass changes.

Název v anglickém jazyce

Thermal stability of magnetron sputtered Si-B-C-N materials at temperatures up to 1700 °C

Popis výsledku anglicky

Thermal stability of deposited Si-B-C-N materials (film fragments or powders without a substrate) in inert gases (He and Ar) up to 1700 °C was investigated using differential scanning calorimetry, high-resolution thermogravimetry and X-ray diffraction measurements. Amorphous Si-B-C-N films were fabricated by dc magnetron co-sputtering of a single B4C-Si target in two nitrogen-argon gas mixtures (50% N2 + 50% Ar or 25% N2 + 75% Ar). It was found that the deposited Si-B-C-N materials can be more stable athigh temperatures in the inert atmosphere than the usually used substrates (e.g. SiC or BN). The materials with the compositions (in at.%) Si32-33B10C2N50-51, for which N/(Si+B+C)=1.1-1.2, retained their amorphous structure up to 1600 °C without any structural transformations and detectable mass changes.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

519

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000283955200054

EID výsledku v databázi Scopus

—