High-rate reactive deposition of transparent SiO2 films containing low amount of Zr from molten magnetron target
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F10%3A00503563" target="_blank" >RIV/49777513:23520/10:00503563 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/10:00437497
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High-rate reactive deposition of transparent SiO2 films containing low amount of Zr from molten magnetron target
Popis výsledku v původním jazyce
The paper reports on a reactive deposition of transparent SiO2 films with a low amount of Zr prepared from the molten target using the AC pulsed dual magnetron. It is shown that the deposition rate of the transparent oxide film strongly increases at thecritical target power density when the solid target starts to melt and the magnetron operates with a molten target. In this case, the evaporation of target material plays a dominant role in the reactive deposition of thin films. This process is called the ionized magnetron evaporation. Oxide films reactively deposited from the molten target are well transparent and highly elastic. The maximum deposition rate of the transparent oxide film achieved in our experiments is 814 nm/min.
Název v anglickém jazyce
High-rate reactive deposition of transparent SiO2 films containing low amount of Zr from molten magnetron target
Popis výsledku anglicky
The paper reports on a reactive deposition of transparent SiO2 films with a low amount of Zr prepared from the molten target using the AC pulsed dual magnetron. It is shown that the deposition rate of the transparent oxide film strongly increases at thecritical target power density when the solid target starts to melt and the magnetron operates with a molten target. In this case, the evaporation of target material plays a dominant role in the reactive deposition of thin films. This process is called the ionized magnetron evaporation. Oxide films reactively deposited from the molten target are well transparent and highly elastic. The maximum deposition rate of the transparent oxide film achieved in our experiments is 814 nm/min.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/OC10045" target="_blank" >OC10045: Nové plazmové zdroje pro depozici vrstev a modifikaci povrchů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
e-ISSN
—
Svazek periodika
519
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000284499500039
EID výsledku v databázi Scopus
—