Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High-rate reactive deposition of transparent SiO2 films containing low amount of Zr from molten magnetron target

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F10%3A00503563" target="_blank" >RIV/49777513:23520/10:00503563 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68378271:_____/10:00437497

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High-rate reactive deposition of transparent SiO2 films containing low amount of Zr from molten magnetron target

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper reports on a reactive deposition of transparent SiO2 films with a low amount of Zr prepared from the molten target using the AC pulsed dual magnetron. It is shown that the deposition rate of the transparent oxide film strongly increases at thecritical target power density when the solid target starts to melt and the magnetron operates with a molten target. In this case, the evaporation of target material plays a dominant role in the reactive deposition of thin films. This process is called the ionized magnetron evaporation. Oxide films reactively deposited from the molten target are well transparent and highly elastic. The maximum deposition rate of the transparent oxide film achieved in our experiments is 814 nm/min.

  • Název v anglickém jazyce

    High-rate reactive deposition of transparent SiO2 films containing low amount of Zr from molten magnetron target

  • Popis výsledku anglicky

    The paper reports on a reactive deposition of transparent SiO2 films with a low amount of Zr prepared from the molten target using the AC pulsed dual magnetron. It is shown that the deposition rate of the transparent oxide film strongly increases at thecritical target power density when the solid target starts to melt and the magnetron operates with a molten target. In this case, the evaporation of target material plays a dominant role in the reactive deposition of thin films. This process is called the ionized magnetron evaporation. Oxide films reactively deposited from the molten target are well transparent and highly elastic. The maximum deposition rate of the transparent oxide film achieved in our experiments is 814 nm/min.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/OC10045" target="_blank" >OC10045: Nové plazmové zdroje pro depozici vrstev a modifikaci povrchů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Thin Solid Films

  • ISSN

    0040-6090

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    519

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000284499500039

  • EID výsledku v databázi Scopus