Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A parametric model for reactive high-power impulse magnetron sputtering of films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F16%3A43927050" target="_blank" >RIV/49777513:23520/16:43927050 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/5/055202" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/5/055202</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/49/5/055202" target="_blank" >10.1088/0022-3727/49/5/055202</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A parametric model for reactive high-power impulse magnetron sputtering of films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present a time-dependent parametric model for reactive HiPIMS deposition of films. Specific features of HiPIMS discharges and a possible increase in the density of the reactive gas in front of the reactive gas inlets placed between the target and the substrate are considered in the model. The model makes it possible to calculate the compound fractions in two target layers and in one substrate layer, and the deposition rate of films at fixed partial pressures of the reactive and inert gas. A simplified relation for the deposition rate of films prepared using a reactive HiPIMS is presented. We used the model to simulate controlled reactive HiPIMS depositions of stoichiometric ZrO2 films, which were recently carried out in our laboratories with two different configurations of the O2 inlets in front of the sputtered target. Our model calculations show that the to-substrate O2 inlet provides systematically lower compound fractions in the target surface layer and higher compound fractions in the substrate surface layer, compared with the to-target O2 inlet. The low compound fractions in the target surface layer result in high deposition rates of the films produced, which are in agreement with experimental values.

  • Název v anglickém jazyce

    A parametric model for reactive high-power impulse magnetron sputtering of films

  • Popis výsledku anglicky

    We present a time-dependent parametric model for reactive HiPIMS deposition of films. Specific features of HiPIMS discharges and a possible increase in the density of the reactive gas in front of the reactive gas inlets placed between the target and the substrate are considered in the model. The model makes it possible to calculate the compound fractions in two target layers and in one substrate layer, and the deposition rate of films at fixed partial pressures of the reactive and inert gas. A simplified relation for the deposition rate of films prepared using a reactive HiPIMS is presented. We used the model to simulate controlled reactive HiPIMS depositions of stoichiometric ZrO2 films, which were recently carried out in our laboratories with two different configurations of the O2 inlets in front of the sputtered target. Our model calculations show that the to-substrate O2 inlet provides systematically lower compound fractions in the target surface layer and higher compound fractions in the substrate surface layer, compared with the to-target O2 inlet. The low compound fractions in the target surface layer result in high deposition rates of the films produced, which are in agreement with experimental values.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA14-03875S" target="_blank" >GA14-03875S: Nanostrukturní multifunkční povlaky připravené užitím silně ionizovaného pulzního plazmatu</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Physics D: Applied Physics

  • ISSN

    0022-3727

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    49

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    18

  • Strana od-do

    1-18

  • Kód UT WoS článku

    000368944100016

  • EID výsledku v databázi Scopus