Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

RF diodové naprašováni tenkých vrstev oxidu zinku n- a p-typu

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F07%3A00000022" target="_blank" >RIV/49777513:23640/07:00000022 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    RF diode reactive sputtering of n- and p-type zinc oxide thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present the relationship between parameters of reactive RF diode sputtering from a zinc oxide (ZnO) target and the crystalline, electrical and optical properties of n-/p-type ZnO thin films depended on RF power, substrate temperature and, particularly, on working gas mixtures of Ar/O2 and of Ar/N2. Sputtering in Ar+O2 working gas (up to 75% of O2)improved the structure of an n-type ZnO thin film, from fibrous ZnO grains to colummar crystallites, both preferentially oriented along the c-axis normallyto the substrate (<002> direction). These films had good piezoelektric properties but also high resistivity (&#961;&#8776;10E3 &#937;cm). ZnO:N p-type films exhibited nanograin structure with preferential <002> orientation at 25% N2 and <002> orientationfor higher N2 content.

  • Název v anglickém jazyce

    RF diode reactive sputtering of n- and p-type zinc oxide thin films

  • Popis výsledku anglicky

    We present the relationship between parameters of reactive RF diode sputtering from a zinc oxide (ZnO) target and the crystalline, electrical and optical properties of n-/p-type ZnO thin films depended on RF power, substrate temperature and, particularly, on working gas mixtures of Ar/O2 and of Ar/N2. Sputtering in Ar+O2 working gas (up to 75% of O2)improved the structure of an n-type ZnO thin film, from fibrous ZnO grains to colummar crystallites, both preferentially oriented along the c-axis normallyto the substrate (<002> direction). These films had good piezoelektric properties but also high resistivity (&#961;&#8776;10E3 &#937;cm). ZnO:N p-type films exhibited nanograin structure with preferential <002> orientation at 25% N2 and <002> orientationfor higher N2 content.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Vacuum

  • ISSN

    0042-207X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

  • Číslo periodika v rámci svazku

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    166

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus