Structural analyses of seeded thin film microcrystalline silicon solar cell
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43921760" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43921760 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pip.2274" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pip.2274</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pip.2274" target="_blank" >10.1002/pip.2274</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Structural analyses of seeded thin film microcrystalline silicon solar cell
Popis výsledku v původním jazyce
This contribution investigates the effect of seeding the growth of thin film microcrystalline silicon (?c-Si : H) deposited by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition on the material properties of ?c-Si : H film and the device performance of p-i-n and n-i-p ?c-Si : H solar cells. By means of Raman measurement, x-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM), we investigate the structure of seeded ?c-Si : H. In particular, the effect of seed layers on the crystallinity development is investigated. Measurements of the depth profile of the crystalline mass fraction using Raman spectroscopy show that seed layers lead to a more rapid and uniform crystallinity development in growth direction.
Název v anglickém jazyce
Structural analyses of seeded thin film microcrystalline silicon solar cell
Popis výsledku anglicky
This contribution investigates the effect of seeding the growth of thin film microcrystalline silicon (?c-Si : H) deposited by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition on the material properties of ?c-Si : H film and the device performance of p-i-n and n-i-p ?c-Si : H solar cells. By means of Raman measurement, x-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM), we investigate the structure of seeded ?c-Si : H. In particular, the effect of seed layers on the crystallinity development is investigated. Measurements of the depth profile of the crystalline mass fraction using Raman spectroscopy show that seed layers lead to a more rapid and uniform crystallinity development in growth direction.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Progress in Photovoltaics: Research and applications
ISSN
1062-7995
e-ISSN
—
Svazek periodika
22
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
346-355
Kód UT WoS článku
000331334400007
EID výsledku v databázi Scopus
—