Crystallized silicon nanostructures - experimental characterization and atomistic simulations
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43923959" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43923959 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0442" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0442</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0442" target="_blank" >10.1139/cjp-2013-0442</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Crystallized silicon nanostructures - experimental characterization and atomistic simulations
Popis výsledku v původním jazyce
We have synthesized silicon nanocrystalline structures from thermal annealing of thin film amorphous silicon-based multilayers. The annealing procedure that was carried out in vacuum at temperatures up to 1100 degrees C is integrated in a X-ray diffraction (XRD) setup for real-time monitoring of the formation phases of the nanostructures. The microstructure of the crystallized films is investigated through experimental measurements combined with atomistic simulations of realistic nanocrystalline silicon(nc-Si) models. The multilayers consisting of uniformly alternating thicknesses of hydrogenated amorphous silicon and silicon oxide (SiO2) were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition on crystalline silicon and Corning glass substrates.
Název v anglickém jazyce
Crystallized silicon nanostructures - experimental characterization and atomistic simulations
Popis výsledku anglicky
We have synthesized silicon nanocrystalline structures from thermal annealing of thin film amorphous silicon-based multilayers. The annealing procedure that was carried out in vacuum at temperatures up to 1100 degrees C is integrated in a X-ray diffraction (XRD) setup for real-time monitoring of the formation phases of the nanostructures. The microstructure of the crystallized films is investigated through experimental measurements combined with atomistic simulations of realistic nanocrystalline silicon(nc-Si) models. The multilayers consisting of uniformly alternating thicknesses of hydrogenated amorphous silicon and silicon oxide (SiO2) were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition on crystalline silicon and Corning glass substrates.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Canadian Journal of Physics
ISSN
0008-4204
e-ISSN
—
Svazek periodika
98
Číslo periodika v rámci svazku
7-8
Stát vydavatele periodika
CA - Kanada
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
783-788
Kód UT WoS článku
000339379500051
EID výsledku v databázi Scopus
—