Funkční vzorek tenkovrstvého senzoru/aktuátoru

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F20%3A43961286" target="_blank" >RIV/49777513:23640/20:43961286 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/fv/NTC-FVZ-20-006.html" target="_blank" >http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/fv/NTC-FVZ-20-006.html</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Funkční vzorek tenkovrstvého senzoru/aktuátoru

Popis výsledku v původním jazyce

Na základě ověřené technologie pro přípravu multivrstvé struktury s naprašovanou ZnO vrstvou, byl vytvořen funkční vzorek FBAR rezonátoru. Ten obsahoval aktivní vrstvu ZnO, která byla optimalizová tak, aby vykazovala silnou preferenční orientaci ve směru osy c a zároveň elektrickou resistivitu alespoň 10e8 Ωcm. Tato hodnota rezistivity, při frekvencích v řádu kHz, zabraňuje stínění. Vrchní a spodní elektroda byla oddělena od piezovrstvy izolační vrstvou AL2O3. Tyto izolační vrstvy zabraňovaly odstínění generovaného napětí volným nábojem z elektrod. Struktura byla připravena na křemíkový substrát pokrytý nevodivou vrstvou, který byl po procesu rozdělen na proužky o tloušťce 5mm. Tímto postupem výroby bylo zamezeno vzniku strukturních vad na hranách jednotlivých vrstev a tedy i ke zkratování zařízení. Jednotlivé rezonátory byl kontaktovány a výsledná rezistivita byl v řádu stovek Ω.

Název v anglickém jazyce

Functional Sample of Thin Film Sensor/Actuator

Popis výsledku anglicky

Based on proven technology for the preparation of a multi-film structure with a sputtered ZnO film, a functional sample of the FBAR resonator was favricated. The device contained an active layer of ZnO which was optimised to show a strong preferential orinetation in the direction of the c axis and at the high electrical resistivity of at least 10e8 Ωcm. This value of resistivity at frequencies in the order of kHz prevents shielding of generated voltage by free carrier. The top and bottom electrodes were separated from the piezo layer by the insulating layer AL2O3. These insulating films also prevented the shielding of the voltage generated by the free charge in the electrodes. The structure was prepared on silicon wafer covered with a non-conducting films, which was divided after the process into strips with a width of 5mm. This prevented structural defects on the edges of individual films and thus short-circuiting of the equipment. Individual resonators were contacted and the resulting resistance was in the order of hundreds of Ω. Based on proven technology for the preparation of a multi-film structure with a sputtered ZnO film, a functional sample of the FBAR resonator was favricated. The device contained an active layer of ZnO which was optimised to show a strong preferential orinetation in the direction of the c axis and at the high electrical resistivity of at least 10e8 Ωcm. This value of resistivity at frequencies in the order of kHz prevents shielding of generated voltage by free carrier. The top and bottom electrodes were separated from the piezo layer by the insulating layer AL2O3. These insulating films also prevented the shielding of the voltage generated by the free charge in the electrodes. The structure was prepared on silicon wafer covered with a non-conducting films, which was divided after the process into strips with a width of 5mm. This prevented structural defects on the edges of individual films and thus short-circuiting of the equipment. Individual resonators were contacted and the resulting resistance was in the order of hundreds of Ω.

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TN01000015" target="_blank" >TN01000015: Národní centrum kompetence STROJÍRENSTVÍ</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

TN01000015/1-V1, NTC-FVZ-20-006

Číselná identifikace

NTC-FVZ-20-006

Technické parametry

Funkční model FBAR rezonátoru s naprašovanou ZnO multivrstvou na křemíkovém substrátu s nevodivou vrstvou. Aktivní vrstva ZnO byla ve směru osy C vytvořena se silnou preferenční vrtsvou a zároveň s elektrickou resistivitou alespoň 10e8 Ωcm. Horní a spodní elektroda je oddělena izolační vrstvou AL2O3. Funkční vzorek je výsledkem účastníků projektu, viz Konsorciální smlouva o účasti na řešení projektu TN01000015 mezi příjemcem VÚTS, a. s., (IČ 46709002), dalším účastníkem ZČU v Plzni (IČ 49777513) a dalšími 24 subjekty ze dne 16. 5. 2018. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634712, dlavicka@ntc.zcu.cz. Viz odkaz http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/fv/NTC-FVZ-20-006.html

Ekonomické parametry

Vyvinutý a vyrobený funkční vzorek potvrzuje, že je možné tyto materiály sériově vyrábět a současně výrazně zlevnit jejich výrobu pomocí optimalizované relativně jednoduché přípravy. Uplatnitelnost tohoto vyvinutého fukčního vzorku je zaměřena do oblasti miniaturních senzorů a aktuátorů pro robotiku, biomedicínu a IoT apod.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

49777513

Název vlastníka

Západočeská univerzita v Plzni

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/fv/NTC-FVZ-20-006.html