Memristor Macromodels
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F09%3A%230003138" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/09:#0003138 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Memristor Macromodels
Popis výsledku v původním jazyce
HP memristor macromodels were developed on the basis of mathematical models of the dependence of memristor internal state on the electric charge flowing through, completed by Joglekar and Biolek window functions which model nonlinear dopant drift at theboundaries of the memristive layer.
Název v anglickém jazyce
Memristor Macromodels
Popis výsledku anglicky
HP memristor macromodels were developed on the basis of mathematical models of the dependence of memristor internal state on the electric charge flowing through, completed by Joglekar and Biolek window functions which model nonlinear dopant drift at theboundaries of the memristive layer.
Klasifikace
Druh
R - Software
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
M1
Technické parametry
Dvojice makromodelů memristoru, vyrobeného firmou Hewlett-Packard, lišící se okénkovou funkcí, která modeluje nelineární drift dopantů. Ing. Radek Novotný, Kounicova 65, Brno, tel: 973443274, radek.novotny@unob.cz
Ekonomické parametry
—
IČO vlastníka výsledku
60162694
Název vlastníka
Ministerstvo obrany