Růst a vlastnosti GaN a AlN vrstev na stříbrných substrátech

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00013775" target="_blank" >RIV/60461373:22310/05:00013775 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Growth and properties of GaN and AlN layers on silver substrates

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the preparation and properties of GaN and AlN layers grown by molecular-beam epitaxy on silver metal substrates. X-ray diffraction rocking curves show polycrystalline character of GaN with high preferential GaN (11-22) orientation. An intermetallic phase of Ga3Ag is found at the GaN/Ag interface. On the other hand, AlN layers exhibit a monocrystalline structure with a growth direction of (0002). Schottky diodes prepared on GaN layers show good rectifying behavior and relatively low leakagecurrent (~10-3 A/cm2). These results indicate that the III-nitride growth on metallic substrates might be used for low-cost and large-area electronic and photonic devices.

Název v anglickém jazyce

Growth and properties of GaN and AlN layers on silver substrates

Popis výsledku anglicky

We report on the preparation and properties of GaN and AlN layers grown by molecular-beam epitaxy on silver metal substrates. X-ray diffraction rocking curves show polycrystalline character of GaN with high preferential GaN (11-22) orientation. An intermetallic phase of Ga3Ag is found at the GaN/Ag interface. On the other hand, AlN layers exhibit a monocrystalline structure with a growth direction of (0002). Schottky diodes prepared on GaN layers show good rectifying behavior and relatively low leakagecurrent (~10-3 A/cm2). These results indicate that the III-nitride growth on metallic substrates might be used for low-cost and large-area electronic and photonic devices.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

—

Číslo periodika v rámci svazku

87

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

212109

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—