Non-destructive assessment of the polarity of GaN nanowire ensembles using low-energy electron diffraction and x-ray photoelectron diffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00448017" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00448017 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4905651" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4905651</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4905651" target="_blank" >10.1063/1.4905651</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Non-destructive assessment of the polarity of GaN nanowire ensembles using low-energy electron diffraction and x-ray photoelectron diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

We investigate GaN nanowire ensembles spontaneously formed in plasma-assisted molecular beam epitaxy by non-destructive low-energy electron diffraction (LEED) and x-ray photoelectron diffraction (XPD). We show that GaN nanowire ensembles prepared on AlN-buffered 6H-SiC(000-1) substrates with well-defined N polarity exhibit similar LEED intensity-voltage curves and angular distribution of photo-emitted electrons as N-polar free-standing GaN layers. Therefore, as in the case of GaN layers, LEED and XPD are found to be suitable techniques to assess the polarity of GaN nanowire ensembles on a macroscopic scale. The analysis of GaN nanowire ensembles prepared on bare Si(111) allows us to conclude that, on this non-polar substrate, the majority of nanowiresis also N-polar.

Název v anglickém jazyce

Non-destructive assessment of the polarity of GaN nanowire ensembles using low-energy electron diffraction and x-ray photoelectron diffraction

Popis výsledku anglicky

We investigate GaN nanowire ensembles spontaneously formed in plasma-assisted molecular beam epitaxy by non-destructive low-energy electron diffraction (LEED) and x-ray photoelectron diffraction (XPD). We show that GaN nanowire ensembles prepared on AlN-buffered 6H-SiC(000-1) substrates with well-defined N polarity exhibit similar LEED intensity-voltage curves and angular distribution of photo-emitted electrons as N-polar free-standing GaN layers. Therefore, as in the case of GaN layers, LEED and XPD are found to be suitable techniques to assess the polarity of GaN nanowire ensembles on a macroscopic scale. The analysis of GaN nanowire ensembles prepared on bare Si(111) allows us to conclude that, on this non-polar substrate, the majority of nanowiresis also N-polar.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

106

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"021602-1"-"021602-4"

Kód UT WoS článku

000348054700023

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84923768566