In-Situ monitorování parametrů ovlivňujících teplotu při růstu nitridů metodou MOVPE
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00014042" target="_blank" >RIV/60461373:22310/05:00014042 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
In-Situ Monitoring of Parameters Influencing Temperature in MOVPE Nitride Growth
Popis výsledku v původním jazyce
In-situ reflectometry is a well-established method to monitor not just the morphology development but also the influence of different parameters during the group III nitride MOVPE growth. In addition, real time in-situ measurement and control of the truesubstrate temperature during the MOVPE of GaN is crucial for obtaining reproducible layer quality. Recently a new method for temperature calibration by using the in-situ measured band-gap shift of SiC in combination with real-time emissivity corrected pyrometry was proposed [1]. This contribution will discuss the influence of different parameters, such as gas phase composition, total flow and reactor pressure on the absolute surface temperature, and consequently the effects on the epilayer growth, including a precise control of the growth rate.
Název v anglickém jazyce
In-Situ Monitoring of Parameters Influencing Temperature in MOVPE Nitride Growth
Popis výsledku anglicky
In-situ reflectometry is a well-established method to monitor not just the morphology development but also the influence of different parameters during the group III nitride MOVPE growth. In addition, real time in-situ measurement and control of the truesubstrate temperature during the MOVPE of GaN is crucial for obtaining reproducible layer quality. Recently a new method for temperature calibration by using the in-situ measured band-gap shift of SiC in combination with real-time emissivity corrected pyrometry was proposed [1]. This contribution will discuss the influence of different parameters, such as gas phase composition, total flow and reactor pressure on the absolute surface temperature, and consequently the effects on the epilayer growth, including a precise control of the growth rate.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů