Preparation of Si/SiC ohmic contacts in different environments

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F14%3A43898154" target="_blank" >RIV/60461373:22310/14:43898154 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Preparation of Si/SiC ohmic contacts in different environments
Popis výsledku v původním jazyce
The goal of our work was preparation of the Si/SiC type ohmic contacts under various conditions. Si/SiC contact structures annealed in an argon atmosphere are of worse contact resistivity in comparison with the same structures annealed under vacuum. LowAr pressure annealing provides good surface morphology. The secondary contacts seem to combine only favorable characteristics of the two processes.
Název v anglickém jazyce
Preparation of Si/SiC ohmic contacts in different environments
Popis výsledku anglicky
The goal of our work was preparation of the Si/SiC type ohmic contacts under various conditions. Si/SiC contact structures annealed in an argon atmosphere are of worse contact resistivity in comparison with the same structures annealed under vacuum. LowAr pressure annealing provides good surface morphology. The secondary contacts seem to combine only favorable characteristics of the two processes.

Projekt
<a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)