Damage accumulation and structural modification in a‐ and c‐plane GaN implanted with 400‐keV and 5‐MeV Au ions
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F18%3A43915745" target="_blank" >RIV/60461373:22310/18:43915745 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389005:_____/18:00496731
Výsledek na webu
<a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/sia.6403" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/sia.6403</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.6403" target="_blank" >10.1002/sia.6403</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Damage accumulation and structural modification in a‐ and c‐plane GaN implanted with 400‐keV and 5‐MeV Au ions
Popis výsledku v původním jazyce
c-plane (0001) and a-plane (11-20) gallium nitride (GaN) epitaxial layers were grown by Metal organic Vapour Phase epitaxy (MOVPE) on sapphire and subsequently implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions using fluences 5 x 10(14) to 5 x 10(15) cm(-2). The shallow Au depth profiling was accomplished by Rutherford backscattering spectrometry. The structural changes during implantation and subsequent annealing were characterised by Rutherford backscattering spectrometry channelling and Raman spectroscopy. The interplay between nuclear and electronic stopping, influencing defect accumulation, was monitored and discussed depending on GaN orientation. Post-implantation annealing induced a structural reorganisation of the GaN structure depending on the ion-implantation fluence, ion energy, and on the crystallographic orientation.
Název v anglickém jazyce
Damage accumulation and structural modification in a‐ and c‐plane GaN implanted with 400‐keV and 5‐MeV Au ions
Popis výsledku anglicky
c-plane (0001) and a-plane (11-20) gallium nitride (GaN) epitaxial layers were grown by Metal organic Vapour Phase epitaxy (MOVPE) on sapphire and subsequently implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions using fluences 5 x 10(14) to 5 x 10(15) cm(-2). The shallow Au depth profiling was accomplished by Rutherford backscattering spectrometry. The structural changes during implantation and subsequent annealing were characterised by Rutherford backscattering spectrometry channelling and Raman spectroscopy. The interplay between nuclear and electronic stopping, influencing defect accumulation, was monitored and discussed depending on GaN orientation. Post-implantation annealing induced a structural reorganisation of the GaN structure depending on the ion-implantation fluence, ion energy, and on the crystallographic orientation.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10402 - Inorganic and nuclear chemistry
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface Interface Analysis
ISSN
0142-2421
e-ISSN
—
Svazek periodika
50
Číslo periodika v rámci svazku
11
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
1099-1105
Kód UT WoS článku
000448889600022
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85042605382