Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Graphene prepared on SiC by chemical vapor deposition proces at low temperature

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F19%3A43918971" target="_blank" >RIV/60461373:22310/19:43918971 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://content.sciendo.com/configurable/contentpage/journals$002fjee$002f70$002f4$002farticle-p329.xml" target="_blank" >https://content.sciendo.com/configurable/contentpage/journals$002fjee$002f70$002f4$002farticle-p329.xml</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.2478/jee-2019-0064" target="_blank" >10.2478/jee-2019-0064</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Graphene prepared on SiC by chemical vapor deposition proces at low temperature

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Graphene preparation by the method of chemical vapour deposition on SiC substrates is described. Despite very low growth temperature (1080 °C) and with use of methane atmosphere, carbon layers in the form of multi-layer graphene were prepared. Graphene quality was verified by means of available analytical methods: Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, Van der Paw method.

  • Název v anglickém jazyce

    Graphene prepared on SiC by chemical vapor deposition proces at low temperature

  • Popis výsledku anglicky

    Graphene preparation by the method of chemical vapour deposition on SiC substrates is described. Despite very low growth temperature (1080 °C) and with use of methane atmosphere, carbon layers in the form of multi-layer graphene were prepared. Graphene quality was verified by means of available analytical methods: Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, Van der Paw method.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>SC</sub> - Článek v periodiku v databázi SCOPUS

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20501 - Materials engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA17-00607S" target="_blank" >GA17-00607S: Komplexní umělé elektromagnetické struktury a nanostruktury</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Electric Engineering (Elektrotechnicky Casopis)

  • ISSN

    1335-3632

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    70

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    SK - Slovenská republika

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    329-331

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85074698085