Co3O4 thin films prepared by hollow cathode discharge
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F19%3A43934069" target="_blank" >RIV/60461373:22310/19:43934069 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/19:00520354 RIV/61388955:_____/19:00520354
Výsledek na webu
<a href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0257897219302634?via%3Dihub" target="_blank" >https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0257897219302634?via%3Dihub</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.03.010" target="_blank" >10.1016/j.surfcoat.2019.03.010</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Co3O4 thin films prepared by hollow cathode discharge
Popis výsledku v původním jazyce
Semiconducting crystalline Co3O4 thin films were deposited on glass, stainless steel and Si substrates using three different PVD methods: (i) RF magnetron sputtering, (ii) high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS), and (iii) hollow cathode discharge (HCD). All layers were sputtered from pure cobalt target (or nozzle) in reactive atmosphere and post-annealed on air. Properties of deposited layers have been studied and discussed with respect to their potential applications. The surface morphology of the films was analyzed by SEM, their crystalline structure by XRD and Raman spectroscopy, chemical composition by EDS, electrical properties by Van der Pauw method and the specific surface area was measured by standard BET analysis. The layers prepared by the hollow cathode discharge compared to the magnetron-prepared films exhibited higher porosity, higher resistivity, higher activation energy, and higher deposition rate during the sputtering process.
Název v anglickém jazyce
Co3O4 thin films prepared by hollow cathode discharge
Popis výsledku anglicky
Semiconducting crystalline Co3O4 thin films were deposited on glass, stainless steel and Si substrates using three different PVD methods: (i) RF magnetron sputtering, (ii) high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS), and (iii) hollow cathode discharge (HCD). All layers were sputtered from pure cobalt target (or nozzle) in reactive atmosphere and post-annealed on air. Properties of deposited layers have been studied and discussed with respect to their potential applications. The surface morphology of the films was analyzed by SEM, their crystalline structure by XRD and Raman spectroscopy, chemical composition by EDS, electrical properties by Van der Pauw method and the specific surface area was measured by standard BET analysis. The layers prepared by the hollow cathode discharge compared to the magnetron-prepared films exhibited higher porosity, higher resistivity, higher activation energy, and higher deposition rate during the sputtering process.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10300 - Physical sciences
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA17-08389S" target="_blank" >GA17-08389S: Pokročilá příprava katalyticky aktivních oxidů na kovových nosičích s využitím plazmové depozice a chemických metod</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
ISSN
0257-8972
e-ISSN
—
Svazek periodika
366
Číslo periodika v rámci svazku
Neuveden
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
303-310
Kód UT WoS článku
000465366400035
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85063460840