The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388980%3A_____%2F17%3A00484339" target="_blank" >RIV/61388980:_____/17:00484339 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/17:00478395 RIV/67985858:_____/17:00478395
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
Popis výsledku v původním jazyce
We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 degrees C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
Název v anglickém jazyce
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
Popis výsledku anglicky
We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 degrees C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10402 - Inorganic and nuclear chemistry
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings
ISBN
978-80-87294-71-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
133-137
Název nakladatele
TANGER Ltd.
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
19. 10. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000410656100022