Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The structure of Mg or Ca silicides and Ge nanoparticles on the surface of a-Si:H thin film

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F16%3A00480295" target="_blank" >RIV/67985858:_____/16:00480295 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68378271:_____/16:00480295

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The structure of Mg or Ca silicides and Ge nanoparticles on the surface of a-Si:H thin film

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The aim of our work is to reveal the mechanism of different semiconductor nanoparticles (NPs) forming on the surface of the Hydrogenated Silicon (Si:H) thin films. Glass and glass covered by Indium Tin Oxide (ITO) were used as substrates for the thin Amorphous layer (a-Si:H) deposited by the Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). The self-forming of silicides NPs was expected during evaporation of Magnesium and Calcium on the heated a-Si:H surface. Germanium we deposited by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The NPs self - forming was investigated by Scanning Electron Microscope (SEM), High Resolution Transmission Electron Microscope (HRTEM), Atomic Force Microscope (AFM) and Raman spectroscopy

  • Název v anglickém jazyce

    The structure of Mg or Ca silicides and Ge nanoparticles on the surface of a-Si:H thin film

  • Popis výsledku anglicky

    The aim of our work is to reveal the mechanism of different semiconductor nanoparticles (NPs) forming on the surface of the Hydrogenated Silicon (Si:H) thin films. Glass and glass covered by Indium Tin Oxide (ITO) were used as substrates for the thin Amorphous layer (a-Si:H) deposited by the Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). The self-forming of silicides NPs was expected during evaporation of Magnesium and Calcium on the heated a-Si:H surface. Germanium we deposited by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The NPs self - forming was investigated by Scanning Electron Microscope (SEM), High Resolution Transmission Electron Microscope (HRTEM), Atomic Force Microscope (AFM) and Raman spectroscopy

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10403 - Physical chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LM2015087" target="_blank" >LM2015087: Laboratoř nanostruktur a nanomateriálů</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů