Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The structure and optical properties of self-forming germanium and silicides nanoparticles on the surface of Si:H thin film

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00479226" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00479226 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The structure and optical properties of self-forming germanium and silicides nanoparticles on the surface of Si:H thin film

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The aim of our work is to reveal the mechanism of formation of different semiconductor nanoparticles (NPs) on the surface of the hydrogenated silicon (Si:H) thin layers. Various forms of the silicide NPs are investigated for thermoelectric conversion energy and the Ge NPs formation is studied for optoelectronic applications. A thin layer of Si:H was deposited on different substrates by d chemical deposition (PECVD). The self-forming silicides NPs were realized during evaporation of Magnesium and Calcium, the Ge NPs was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at substrate temperatures from 300 to 450 ° C. The NPs self - forming was investigated by SEM, TEM, AFM and Raman spectroscopy. The increase of optical absorption needed for the photovoltaic applications has been confirmed by the photothermal deflection spectroscopy (PDS). The optical and optoelectronic properties in the infrared part of the spectrum were investigated by the photoluminescence and electroluminescence.n

  • Název v anglickém jazyce

    The structure and optical properties of self-forming germanium and silicides nanoparticles on the surface of Si:H thin film

  • Popis výsledku anglicky

    The aim of our work is to reveal the mechanism of formation of different semiconductor nanoparticles (NPs) on the surface of the hydrogenated silicon (Si:H) thin layers. Various forms of the silicide NPs are investigated for thermoelectric conversion energy and the Ge NPs formation is studied for optoelectronic applications. A thin layer of Si:H was deposited on different substrates by d chemical deposition (PECVD). The self-forming silicides NPs were realized during evaporation of Magnesium and Calcium, the Ge NPs was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at substrate temperatures from 300 to 450 ° C. The NPs self - forming was investigated by SEM, TEM, AFM and Raman spectroscopy. The increase of optical absorption needed for the photovoltaic applications has been confirmed by the photothermal deflection spectroscopy (PDS). The optical and optoelectronic properties in the infrared part of the spectrum were investigated by the photoluminescence and electroluminescence.n

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA13-12386S" target="_blank" >GA13-12386S: Fotovodivost a dynamika excitací v nanostrukturovaných a neuspořádaných polovodičích na ultrarychlé časové škále</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů