Mechanism of the film composition formation during magnetron sputtering of WTi.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F01%3A49010112" target="_blank" >RIV/61389005:_____/01:49010112 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Mechanism of the film composition formation during magnetron sputtering of WTi.

Popis výsledku v původním jazyce

The WTi films were deposited by an unbalanced magnetron sputtering of a WTi (70:30 at. %) alloy target. The influence of the working gas (Ar) pressure, substrate bias, and substrate location on the composition of films was studied. The films deposited atlow working gas pressures (<1 Pa) onto electrically floating substrates were largely depleted in Ti while the composition of films deposited at high argon pressure (25 Pa) was close to that of the target. The ion bombardment of the growing film resultedin a decreaseof the Ti content in the films. The composition of the films deposited simultaneously onto a pair of substrates placed at the axis and at the periphery of the target did not depend on the substrate position at both low and high pressure.

Název v anglickém jazyce

Mechanism of the film composition formation during magnetron sputtering of WTi.

Popis výsledku anglicky

The WTi films were deposited by an unbalanced magnetron sputtering of a WTi (70:30 at. %) alloy target. The influence of the working gas (Ar) pressure, substrate bias, and substrate location on the composition of films was studied. The films deposited atlow working gas pressures (<1 Pa) onto electrically floating substrates were largely depleted in Ti while the composition of films deposited at high argon pressure (25 Pa) was close to that of the target. The ion bombardment of the growing film resultedin a decreaseof the Ti content in the films. The composition of the films deposited simultaneously onto a pair of substrates placed at the axis and at the periphery of the target did not depend on the substrate position at both low and high pressure.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Vacuum Science and Technology. A - Vacuum Surfaces and Films

ISSN

0734-2101

e-ISSN

—

Svazek periodika

19

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

13

Strana od-do

2554-2566

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—