Study of think layers at the production of solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27360%2F02%3A00001734" target="_blank" >RIV/61989100:27360/02:00001734 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of think layers at the production of solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

The results of experimental measurements of thin metal layers on the silicon substrates used as contacts of solar cells are described in this work. It was found out that at higher pressures of working gas the adhesion of sputtered layers to the substratedecreases because of more frequent collisions between the sputtered material particles and ions of gas. The process of depositing the thin Ti-Cu layers on the silicon substrate by means of magnetron sputtering at the gas working pressure 330 mPa and Ts/Tm = 0.22 appears to be optimal. It ensures the most convenient combinations of the required adhesive and electric parameters.

Název v anglickém jazyce

Study of think layers at the production of solar cells

Popis výsledku anglicky

The results of experimental measurements of thin metal layers on the silicon substrates used as contacts of solar cells are described in this work. It was found out that at higher pressures of working gas the adhesion of sputtered layers to the substratedecreases because of more frequent collisions between the sputtered material particles and ions of gas. The process of depositing the thin Ti-Cu layers on the silicon substrate by means of magnetron sputtering at the gas working pressure 330 mPa and Ts/Tm = 0.22 appears to be optimal. It ensures the most convenient combinations of the required adhesive and electric parameters.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JG - Hutnictví, kovové materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LN00B029" target="_blank" >LN00B029: Materiálově technologické výzkumné centrum</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Silicon 2002

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

78-82

Název nakladatele

Ed. K.Vojtěchovský, TECON Scientific, s.r.o.

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm

Místo konání akce

Rožnov pod Radhoštěm

Datum konání akce

5. 10. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—