Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Abnormální růst zrna v elektrochemicky nanášených vrstvách mědi.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27360%2F04%3A00010186" target="_blank" >RIV/61989100:27360/04:00010186 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Abnormal grain growth in electrochemically deposited Cu films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Cu interconnects are essential in advanced integrated circuits to minimize the RC delay. In manufacturing these devices, Cu is deposited electrochemically using a plating bath containing organic additives. The as-deposited nanocrystalline Cu films undergo self-annealing at room temperature to form a micronsized grain structure by abnormal grain growth. Systematic experimental studies of self-annealing kinetics on model Cu films deposited on a Au substrate suggest that the rate of grain size evolution depends primarily on the initial grain size of the as-deposited film. A model for the observed abnormal grain growth process is proposed. Assuming that desorption of the organic additives leads to mobile grain boundaries, the onset of abnormal grain growthis attributed to a sufficiently low additive concentration such that a full coverage of all grain boundaries cannot be maintained. The incubation time of abnormal growth is then a logarithmic function of the initial grain size. The proba

  • Název v anglickém jazyce

    Abnormal grain growth in electrochemically deposited Cu films

  • Popis výsledku anglicky

    Cu interconnects are essential in advanced integrated circuits to minimize the RC delay. In manufacturing these devices, Cu is deposited electrochemically using a plating bath containing organic additives. The as-deposited nanocrystalline Cu films undergo self-annealing at room temperature to form a micronsized grain structure by abnormal grain growth. Systematic experimental studies of self-annealing kinetics on model Cu films deposited on a Au substrate suggest that the rate of grain size evolution depends primarily on the initial grain size of the as-deposited film. A model for the observed abnormal grain growth process is proposed. Assuming that desorption of the organic additives leads to mobile grain boundaries, the onset of abnormal grain growthis attributed to a sufficiently low additive concentration such that a full coverage of all grain boundaries cannot be maintained. The incubation time of abnormal growth is then a logarithmic function of the initial grain size. The proba

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JG - Hutnictví, kovové materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GP101%2F03%2FP165" target="_blank" >GP101/03/P165: Vývoj mikrostruktury tenkých vrstev elektrochemicky nanášené mědi pro spoje v mikročipech při teplotách blízkých pokojové</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Materials Science Forum

  • ISSN

    0-87849-952-0

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    467-470

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1339-1344

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus