Problematika mikrostruktury elektrochemicky deponovaných měděných spojů v mikroelektornice
Popis výsledku
Se zaváděním nových technologií v mikroelektronickém průmyslu je spojena řada problémů spadajících do oblasti materiálových věd. Experimentální a teoretické zázemí materiálového inženýrství často poskytuje vhodné charakterizační nástroje a nový pohled nařešení těchto problémů. Tato práce se zabývá charakterizací a modelováním samovolného žíhání tenkých vrstev elektrochemicky nanášené mědi, jenž se používají od konce 90.let k vytváření spojů ve špičkových integrovaných obvodech. Jsou zmíněna specifika studia tenkých vrstev mědi nanášených elektrochemicky a vhodné experimentální metody. Na základě experimentálních výsledků je navržen model, který popisuje samovolné žíhání pomocí mechanismu abnormálního růstu zrna. Predikční schopnosti modelu jsou ověřeny na sérii experimentálních dat.
Klíčová slova
copper interconnectionselectrochemical depositionmicrostructure of thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microstructure Related Issues of Electroplated Copper Interconnects in Microelectronics
Popis výsledku v původním jazyce
In modern microelectronics, material related issues emerge as new technologies are introduced. The powerful experimental and theoretical tools of materials engineering are often capable of proper characterization and description of the problems in question. This paper deals with characterization and modeling of self-annealing in electroplated copper thin films which are used since late 90's as interconnects in state-of-the-art integrated circuits. Specifics of the experimental methods suitable for studying thin copper films are discussed. Based on the experimental results, new model is developed which describes the self-annealing by means of abnormal grain growth. The predictive capabilities of the model are verified on previously obtained experimentaldata.
Název v anglickém jazyce
Microstructure Related Issues of Electroplated Copper Interconnects in Microelectronics
Popis výsledku anglicky
In modern microelectronics, material related issues emerge as new technologies are introduced. The powerful experimental and theoretical tools of materials engineering are often capable of proper characterization and description of the problems in question. This paper deals with characterization and modeling of self-annealing in electroplated copper thin films which are used since late 90's as interconnects in state-of-the-art integrated circuits. Specifics of the experimental methods suitable for studying thin copper films are discussed. Based on the experimental results, new model is developed which describes the self-annealing by means of abnormal grain growth. The predictive capabilities of the model are verified on previously obtained experimentaldata.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JG - Hutnictví, kovové materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Sborník vědeckých prací VŠB-TU Ostrava, řada hutnická
ISSN
0474-8484
e-ISSN
—
Svazek periodika
48
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
73-79
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—
Základní informace
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
JG - Hutnictví, kovové materiály
Rok uplatnění
2005