Problematika mikrostruktury elektrochemicky deponovaných měděných spojů v mikroelektornice

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27360%2F05%3A00013242" target="_blank" >RIV/61989100:27360/05:00013242 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microstructure Related Issues of Electroplated Copper Interconnects in Microelectronics

Popis výsledku v původním jazyce

In modern microelectronics, material related issues emerge as new technologies are introduced. The powerful experimental and theoretical tools of materials engineering are often capable of proper characterization and description of the problems in question. This paper deals with characterization and modeling of self-annealing in electroplated copper thin films which are used since late 90's as interconnects in state-of-the-art integrated circuits. Specifics of the experimental methods suitable for studying thin copper films are discussed. Based on the experimental results, new model is developed which describes the self-annealing by means of abnormal grain growth. The predictive capabilities of the model are verified on previously obtained experimentaldata.

Název v anglickém jazyce

Microstructure Related Issues of Electroplated Copper Interconnects in Microelectronics

Popis výsledku anglicky

In modern microelectronics, material related issues emerge as new technologies are introduced. The powerful experimental and theoretical tools of materials engineering are often capable of proper characterization and description of the problems in question. This paper deals with characterization and modeling of self-annealing in electroplated copper thin films which are used since late 90's as interconnects in state-of-the-art integrated circuits. Specifics of the experimental methods suitable for studying thin copper films are discussed. Based on the experimental results, new model is developed which describes the self-annealing by means of abnormal grain growth. The predictive capabilities of the model are verified on previously obtained experimentaldata.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JG - Hutnictví, kovové materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GP101%2F03%2FP165" target="_blank" >GP101/03/P165: Vývoj mikrostruktury tenkých vrstev elektrochemicky nanášené mědi pro spoje v mikročipech při teplotách blízkých pokojové</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Procedings of the 10th International Conference Progress in Materials Engineering,Book of Abstracts

ISBN

80-248-0887-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

17-17

Název nakladatele

VŠB - Technická univerzita Ostrava

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Rožnov p. Radhoštěm

Datum konání akce

30. 8. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—