Theoretical and experimental study of plasmonic effects in heavily doped gallium arsenide and indium phosphide

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27640%2F15%3A86095514" target="_blank" >RIV/61989100:27640/15:86095514 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OME.5.000340" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1364/OME.5.000340</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OME.5.000340" target="_blank" >10.1364/OME.5.000340</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Theoretical and experimental study of plasmonic effects in heavily doped gallium arsenide and indium phosphide

Popis výsledku v původním jazyce

Dispersion plasmonic interaction at an interface between a doped semiconductor and a dielectric is employed to use experimental data for determining the plasma frequency, the relaxation time, the effective mass, and the mobility of free electrons in heavily donor-doped gallium arsenide (GaAs) and indium phosphide (InP). A new solution for a plasmonic resonance at a semiconductor/dielectric interface found recently is exploited advantageously when analyzing the experimental data. Two independent measurement methods were used, namely the infrared reflectivity and the Raman scattering. Results indicate a good agreement with known data while pointing to some inaccuracies reported, and suggest a new alternative and accurate means to determine these important semiconductor parameters.

Název v anglickém jazyce

Theoretical and experimental study of plasmonic effects in heavily doped gallium arsenide and indium phosphide

Popis výsledku anglicky

Dispersion plasmonic interaction at an interface between a doped semiconductor and a dielectric is employed to use experimental data for determining the plasma frequency, the relaxation time, the effective mass, and the mobility of free electrons in heavily donor-doped gallium arsenide (GaAs) and indium phosphide (InP). A new solution for a plasmonic resonance at a semiconductor/dielectric interface found recently is exploited advantageously when analyzing the experimental data. Two independent measurement methods were used, namely the infrared reflectivity and the Raman scattering. Results indicate a good agreement with known data while pointing to some inaccuracies reported, and suggest a new alternative and accurate means to determine these important semiconductor parameters.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optical Materials Express

ISSN

2159-3930

e-ISSN

—

Svazek periodika

5

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

13

Strana od-do

340-352

Kód UT WoS článku

000350664100015

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84921750302