Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Controlling the plasmonic properties of titanium nitride thin films by radiofrequency substrate biasing in magnetron sputtering

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27640%2F21%3A10248224" target="_blank" >RIV/61989100:27640/21:10248224 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26620/21:PU141898 RIV/61989592:15640/21:73607589 RIV/61989592:15310/21:73607589

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016943322100619X?via%3Dihub" target="_blank" >https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016943322100619X?via%3Dihub</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.149543" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2021.149543</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Controlling the plasmonic properties of titanium nitride thin films by radiofrequency substrate biasing in magnetron sputtering

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Titanium nitride (TiN) is a promising plasmonic material alternative to gold and silver thanks to its refractory character, low resistivity (&lt;100 mu Omega cm) and compatibility with microelectronic industry processes. Extensive research is currently focusing on the development of magnetron sputtering as a large-scale technique to produce TiN thin films with low resistivity and optimized plasmonic performance. As such, more knowledge on the correlation between process parameters and the functional properties of TiN is needed. Here we report the effect of radiofrequency (RF) substrate biasing during the sputtering process on the structural, optical and electrical properties of TiN films. We employ spectroscopic ellipsometry as a sensible characterization method and we show that a moderate RF power, despite reducing the grain size, allows to achieve optimal plasmonic quality factors and a low resistivity (&lt;100 mu Omega cm). This is attributed to the introduction of a slight under-stoichiometry in the material (i.e., TiN0.85), as opposite to the films synthesized without bias or under intense bombardment conditions. RF substrate biasing during magnetron sputtering appears thus as a viable tool to prepare TiN thin films at room temperature with desired plasmonic properties.

  • Název v anglickém jazyce

    Controlling the plasmonic properties of titanium nitride thin films by radiofrequency substrate biasing in magnetron sputtering

  • Popis výsledku anglicky

    Titanium nitride (TiN) is a promising plasmonic material alternative to gold and silver thanks to its refractory character, low resistivity (&lt;100 mu Omega cm) and compatibility with microelectronic industry processes. Extensive research is currently focusing on the development of magnetron sputtering as a large-scale technique to produce TiN thin films with low resistivity and optimized plasmonic performance. As such, more knowledge on the correlation between process parameters and the functional properties of TiN is needed. Here we report the effect of radiofrequency (RF) substrate biasing during the sputtering process on the structural, optical and electrical properties of TiN films. We employ spectroscopic ellipsometry as a sensible characterization method and we show that a moderate RF power, despite reducing the grain size, allows to achieve optimal plasmonic quality factors and a low resistivity (&lt;100 mu Omega cm). This is attributed to the introduction of a slight under-stoichiometry in the material (i.e., TiN0.85), as opposite to the films synthesized without bias or under intense bombardment conditions. RF substrate biasing during magnetron sputtering appears thus as a viable tool to prepare TiN thin films at room temperature with desired plasmonic properties.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10300 - Physical sciences

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Surface Science

  • ISSN

    0169-4332

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    554

  • Číslo periodika v rámci svazku

    July

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000647733600004

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85103101418