Laser Gas-Phase Photolysis of Organosilicon Compounds: Approach to Formation of Hydrogenated Si/C, Si/C/F, Si/C/O and Si/O Phases.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F00%3A27000175" target="_blank" >RIV/67985858:_____/00:27000175 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Laser Gas-Phase Photolysis of Organosilicon Compounds: Approach to Formation of Hydrogenated Si/C, Si/C/F, Si/C/O and Si/O Phases.

Popis výsledku v původním jazyce

The IR and UV laser photolysis of cyclic and cyclic organosilanes, fluoromethylsilanes, alkoxysilanes and disiloxanes is shown to yield films of polycarbosilanes, polytrimethylsiloxyhydrocarbons and of hydrogenated SiC, Si/C/F and Si/C/O and Si/O materials. The chemistry occuring in the gas phase is discussed in conjunction with properties of the deposited materials and the technique is demonstrated to represent an easy and efficient way of chemical vapour deposition of the Si-based phases onto low temperature substrates.

Název v anglickém jazyce

Laser Gas-Phase Photolysis of Organosilicon Compounds: Approach to Formation of Hydrogenated Si/C, Si/C/F, Si/C/O and Si/O Phases.

Popis výsledku anglicky

The IR and UV laser photolysis of cyclic and cyclic organosilanes, fluoromethylsilanes, alkoxysilanes and disiloxanes is shown to yield films of polycarbosilanes, polytrimethylsiloxyhydrocarbons and of hydrogenated SiC, Si/C/F and Si/C/O and Si/O materials. The chemistry occuring in the gas phase is discussed in conjunction with properties of the deposited materials and the technique is demonstrated to represent an easy and efficient way of chemical vapour deposition of the Si-based phases onto low temperature substrates.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CH - Jaderná a kvantová chemie, fotochemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/IAA4072806" target="_blank" >IAA4072806: Laserově iniciovaný rozklad hydridodisiloxanů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2000

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Review Journal PINSA

ISSN

—

e-ISSN

—

Svazek periodika

66

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

IN - Indická republika

Počet stran výsledku

30

Strana od-do

107-136

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—