Preparation of Si/O/C Nanotubes Using Ge Nanowires as Template

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00380129" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00380129 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61388980:_____/12:00380129 RIV/67985858:_____/12:00380129 RIV/61388955:_____/12:00380129
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jaap.2012.05.005" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jaap.2012.05.005</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jaap.2012.05.005" target="_blank" >10.1016/j.jaap.2012.05.005</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Preparation of Si/O/C Nanotubes Using Ge Nanowires as Template
Popis výsledku v původním jazyce
The silicon oxycarbide Si/O/C nanotubes were prepared by two-step procedure. First, a nanostructure deposit mainly composed of nanocables with germanium core was synthetized by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using hexamethyldigermane Ge2Me6 and 1,1,3,3-tetramethyldisilazane (Me2SiH)2NH as the volatile precursors. Second, LPCVD was followed by annealing at 850 °C in vacuum to evaporate germanium core. As a result Si/O/C nanotubes were formed. Various techniques such as Raman spectroscopy,TEM, SEM/EDX, XPS and HRTEM were used to study the physical and chemical properties.
Název v anglickém jazyce
Preparation of Si/O/C Nanotubes Using Ge Nanowires as Template
Popis výsledku anglicky
The silicon oxycarbide Si/O/C nanotubes were prepared by two-step procedure. First, a nanostructure deposit mainly composed of nanocables with germanium core was synthetized by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using hexamethyldigermane Ge2Me6 and 1,1,3,3-tetramethyldisilazane (Me2SiH)2NH as the volatile precursors. Second, LPCVD was followed by annealing at 850 °C in vacuum to evaporate germanium core. As a result Si/O/C nanotubes were formed. Various techniques such as Raman spectroscopy,TEM, SEM/EDX, XPS and HRTEM were used to study the physical and chemical properties.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA203%2F09%2F1088" target="_blank" >GA203/09/1088: Příprava nanostrukturovaných Si/Ge/C depozitů</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)