Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP2/GaAs

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00023409" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00023409 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Growth of the GaxIn1-xP/GaAs(100) heterostructures from the liquid phase was optimized at 800oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping of theternary layer by GaAs grown from the Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects has been suggested.

  • Název v anglickém jazyce

    Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures

  • Popis výsledku anglicky

    Growth of the GaxIn1-xP/GaAs(100) heterostructures from the liquid phase was optimized at 800oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping of theternary layer by GaAs grown from the Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects has been suggested.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ME%20610" target="_blank" >ME 610: Příprava radiačně odolných solárních článků z GaInP2/GaAs</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 14th Joint Seminar "Development of Materials Science in Research and Education"

  • ISBN

    80-7345-032-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    45-46

  • Název nakladatele

    MAXDORF

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Lednice

  • Datum konání akce

    31. 8. 2004

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku