Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP2/GaAs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105962" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105962 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures
Popis výsledku v původním jazyce
Growth of the GaxIn1-xP/GaAs (100)heterostructures from the liquid phase was optimised at 800oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping the ternary layer by GaAs grown from Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects have been suggested. Sharp boundary between ordered and disordered dislocations network in the top Bi:GaAs layer was observed and lattice misfit has been compensated by In addition to produce Bi:GaxIn1-x As /x>0.95/.
Název v anglickém jazyce
Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures
Popis výsledku anglicky
Growth of the GaxIn1-xP/GaAs (100)heterostructures from the liquid phase was optimised at 800oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping the ternary layer by GaAs grown from Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects have been suggested. Sharp boundary between ordered and disordered dislocations network in the top Bi:GaAs layer was observed and lattice misfit has been compensated by In addition to produce Bi:GaxIn1-x As /x>0.95/.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ME%20610" target="_blank" >ME 610: Příprava radiačně odolných solárních článků z GaInP2/GaAs</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
0-7803-8535-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
57-60
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
17. 10. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—