Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vliv vrstev nitridu křemíku na difuzní délku minoritních nosičů v Si

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F06%3A00083592" target="_blank" >RIV/67985882:_____/06:00083592 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in silicon wafers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The main purpose of this work was the comparison of the silicon nitride prepared by the LP CVD and by the MW PE CVD from silane and ammonia gases with respect to the possibility of passivation c-Si surface layer. The properties of the silicon nitride films were studied by the surface photovoltage (SPV), FTIR and SIMS methods. The average value of the diffusion length of minority carriers in the Si samples with the LP CVD nitride was shorter and dependent on the location in the reactor.

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in silicon wafers

  • Popis výsledku anglicky

    The main purpose of this work was the comparison of the silicon nitride prepared by the LP CVD and by the MW PE CVD from silane and ammonia gases with respect to the possibility of passivation c-Si surface layer. The properties of the silicon nitride films were studied by the surface photovoltage (SPV), FTIR and SIMS methods. The average value of the diffusion length of minority carriers in the Si samples with the LP CVD nitride was shorter and dependent on the location in the reactor.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the International Conference Twentyfirst European Photovoltaic Solar Energy

  • ISBN

    3-936338-20-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    960-962

  • Název nakladatele

    WIP-Renewable Energies

  • Místo vydání

    München

  • Místo konání akce

    Dresden

  • Datum konání akce

    4. 9. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku