Impact of Pr on the properties of InP based layers for light sources and detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F09%3A00346171" target="_blank" >RIV/67985882:_____/09:00346171 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Impact of Pr on the properties of InP based layers for light sources and detectors

Popis výsledku v původním jazyce

We report the optimization of LPE growth technique for the preparation of InP and GaInAsP high quality and high purity layers by using Pr purification effect. We have found that Pr addition into the growth melt leads to the reduction of the layer defectdensity by a half order of magnitude and carrier concentrations diminished to 10(14) cm(-3). Three types of p-n junction based radiation detection structures were prepared and their detection performance was assessed by using alpha-particles emitted fromthe Am-241 radioactive source. The type Ill structure, utilizing the p-n junction with both components grown with Pr addition, exhibits the highest charge collection efficiency.

Název v anglickém jazyce

Impact of Pr on the properties of InP based layers for light sources and detectors

Popis výsledku anglicky

We report the optimization of LPE growth technique for the preparation of InP and GaInAsP high quality and high purity layers by using Pr purification effect. We have found that Pr addition into the growth melt leads to the reduction of the layer defectdensity by a half order of magnitude and carrier concentrations diminished to 10(14) cm(-3). Three types of p-n junction based radiation detection structures were prepared and their detection performance was assessed by using alpha-particles emitted fromthe Am-241 radioactive source. The type Ill structure, utilizing the p-n junction with both components grown with Pr addition, exhibits the highest charge collection efficiency.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

PHYSICA STATUS SOLIDI

ISBN

—

ISSN

1610-1634

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

WILEY

Místo vydání

WEINHEIM

Místo konání akce

Vilnius

Datum konání akce

15. 6. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000279548000048