EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00396586" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00396586 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors
Popis výsledku v původním jazyce
We investigated properties of nanolayers electrophoretically deposited (EPD) onto semiconductor indium phosphide (InP) or gallium nitride (GaN) single crystals from colloid solutions of metal palladium (Pd), platinum (Pt) or bimetallic Pd/Pt nanoparticles (NPs) in isooctane. Colloids with metal NPs were prepared by reaction of metal compounds with the reducing agent hydrazine in water confined to reverse micelles of surfactant AOT.. Chopped DC electric voltage was applied for the time period to depositmetal NPs, only partly covering surface of the wafer. The deposits were image-observed by scanning electron microscopy (SEM)..Diodes with porous Schottky contacts were made by printing colloidal graphite on the NPs deposited surface and making ohmic contact on the blank side of the wafer. The diodes showed current-voltage characteristics of excellent rectification ratio and barrier height values close to Schottky-Mott limit, which was an evidence of negligible Fermi level pinning. Large
Název v anglickém jazyce
EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors
Popis výsledku anglicky
We investigated properties of nanolayers electrophoretically deposited (EPD) onto semiconductor indium phosphide (InP) or gallium nitride (GaN) single crystals from colloid solutions of metal palladium (Pd), platinum (Pt) or bimetallic Pd/Pt nanoparticles (NPs) in isooctane. Colloids with metal NPs were prepared by reaction of metal compounds with the reducing agent hydrazine in water confined to reverse micelles of surfactant AOT.. Chopped DC electric voltage was applied for the time period to depositmetal NPs, only partly covering surface of the wafer. The deposits were image-observed by scanning electron microscopy (SEM)..Diodes with porous Schottky contacts were made by printing colloidal graphite on the NPs deposited surface and making ohmic contact on the blank side of the wafer. The diodes showed current-voltage characteristics of excellent rectification ratio and barrier height values close to Schottky-Mott limit, which was an evidence of negligible Fermi level pinning. Large
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ELECTROPHORETIC DEPOSITION: FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS IV
ISBN
9783037853795
ISSN
1013-9826
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
169-173
Název nakladatele
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
Místo vydání
ZURICH
Místo konání akce
Puerto Vallarta
Datum konání akce
2. 10. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000308567500027