Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00396586" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00396586 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.507.169</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We investigated properties of nanolayers electrophoretically deposited (EPD) onto semiconductor indium phosphide (InP) or gallium nitride (GaN) single crystals from colloid solutions of metal palladium (Pd), platinum (Pt) or bimetallic Pd/Pt nanoparticles (NPs) in isooctane. Colloids with metal NPs were prepared by reaction of metal compounds with the reducing agent hydrazine in water confined to reverse micelles of surfactant AOT.. Chopped DC electric voltage was applied for the time period to depositmetal NPs, only partly covering surface of the wafer. The deposits were image-observed by scanning electron microscopy (SEM)..Diodes with porous Schottky contacts were made by printing colloidal graphite on the NPs deposited surface and making ohmic contact on the blank side of the wafer. The diodes showed current-voltage characteristics of excellent rectification ratio and barrier height values close to Schottky-Mott limit, which was an evidence of negligible Fermi level pinning. Large

  • Název v anglickém jazyce

    EPD of Reverse Micelle Pd and Pt Nanoparticles onto InP and GaN for High-Response Hydrogen Sensors

  • Popis výsledku anglicky

    We investigated properties of nanolayers electrophoretically deposited (EPD) onto semiconductor indium phosphide (InP) or gallium nitride (GaN) single crystals from colloid solutions of metal palladium (Pd), platinum (Pt) or bimetallic Pd/Pt nanoparticles (NPs) in isooctane. Colloids with metal NPs were prepared by reaction of metal compounds with the reducing agent hydrazine in water confined to reverse micelles of surfactant AOT.. Chopped DC electric voltage was applied for the time period to depositmetal NPs, only partly covering surface of the wafer. The deposits were image-observed by scanning electron microscopy (SEM)..Diodes with porous Schottky contacts were made by printing colloidal graphite on the NPs deposited surface and making ohmic contact on the blank side of the wafer. The diodes showed current-voltage characteristics of excellent rectification ratio and barrier height values close to Schottky-Mott limit, which was an evidence of negligible Fermi level pinning. Large

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    ELECTROPHORETIC DEPOSITION: FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS IV

  • ISBN

    9783037853795

  • ISSN

    1013-9826

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    169-173

  • Název nakladatele

    TRANS TECH PUBLICATIONS LTD

  • Místo vydání

    ZURICH

  • Místo konání akce

    Puerto Vallarta

  • Datum konání akce

    2. 10. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000308567500027