Hydrogen sensing using reduced graphene oxide sheets supported by Pd nanoparticles

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F13%3A00395144" target="_blank" >RIV/67985882:_____/13:00395144 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/450/1/012020" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/450/1/012020</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/450/1/012020" target="_blank" >10.1088/1742-6596/450/1/012020</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hydrogen sensing using reduced graphene oxide sheets supported by Pd nanoparticles

Popis výsledku v původním jazyce

We investigated Schottky diode hydrogen sensors prepared by the deposition of reduced graphene oxide functionalized by nanocrystals of Pd on InP substrate. Schottky diodes were investigated by the measurement of current voltage characteristics and further tested for their sensitivity to hydrogen in a cell with a through-flow gas system. Pd nanocrystals which are in direct contact with the semiconductor substrate serve to dissociate hydrogen molecules into atomic hydrogen, lowering the work function of Pd, and resulting in the decreased Schottky barrier height.

Název v anglickém jazyce

Hydrogen sensing using reduced graphene oxide sheets supported by Pd nanoparticles

Popis výsledku anglicky

We investigated Schottky diode hydrogen sensors prepared by the deposition of reduced graphene oxide functionalized by nanocrystals of Pd on InP substrate. Schottky diodes were investigated by the measurement of current voltage characteristics and further tested for their sensitivity to hydrogen in a cell with a through-flow gas system. Pd nanocrystals which are in direct contact with the semiconductor substrate serve to dissociate hydrogen molecules into atomic hydrogen, lowering the work function of Pd, and resulting in the decreased Schottky barrier height.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LD12014" target="_blank" >LD12014: Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

SENSORS & THEIR APPLICATIONS XVII

ISBN

—

ISSN

1742-6588

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

IOP PUBLISHING LTD

Místo vydání

BRISTOL

Místo konání akce

Dubrovnik

Datum konání akce

16. 9. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000322762800020