Proč jsou různě dopované oblasti v polovodiči viditelné v nízko-napěťovém REM?

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F04%3A00100007" target="_blank" >RIV/68081731:_____/04:00100007 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?

Popis výsledku v původním jazyce

Although doped regions in semiconductors have been shown to give a different secondary electron yield in low-voltage scanning electron microscopy, the basic interpretation of this contrast has been difficult. It is accepted that this contrast stem from electronic phenomenon rather than atomic number differences between differently doped regions. However, the question is whether variations in the patch fields above the sample surface, balancing variations in the inner potentials, or surface coatings and/or surface states are the mechanisms responsible for the observed contrast. The present study reports on comparative experiments of these two models and demonstrates that the image contrast can be controlled by the presence of thin-surface metallic coatings

Název v anglickém jazyce

Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?

Popis výsledku anglicky

Although doped regions in semiconductors have been shown to give a different secondary electron yield in low-voltage scanning electron microscopy, the basic interpretation of this contrast has been difficult. It is accepted that this contrast stem from electronic phenomenon rather than atomic number differences between differently doped regions. However, the question is whether variations in the patch fields above the sample surface, balancing variations in the inner potentials, or surface coatings and/or surface states are the mechanisms responsible for the observed contrast. The present study reports on comparative experiments of these two models and demonstrates that the image contrast can be controlled by the presence of thin-surface metallic coatings

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/IAA1065304" target="_blank" >IAA1065304: Mnohokanálová spektro-mikroskopie pomalými a Augerovými elektrony</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN

0018-9383

e-ISSN

—

Svazek periodika

51

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

288-292

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—