Mapping of dopants by electron injection

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F10%3A00350658" target="_blank" >RIV/68081731:_____/10:00350658 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Mapping of dopants by electron injection
Popis výsledku v původním jazyce
Dopants in silicon structures locally modify the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. Primary electron beam with energy around 1 keV is usually used for probing the doped structures. However, very low landing energy range has proved itself an efficient tool for mapping dopants in semiconductors.
Název v anglickém jazyce
Mapping of dopants by electron injection
Popis výsledku anglicky
Dopants in silicon structures locally modify the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. Primary electron beam with energy around 1 keV is usually used for probing the doped structures. However, very low landing energy range has proved itself an efficient tool for mapping dopants in semiconductors.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
ISBN
978-80-254-6842-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
—
Název nakladatele
Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Skalský dvůr
Datum konání akce
31. 5. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)