Mapping of dopants in silicon by electron injection

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F12%3A00386449" target="_blank" >RIV/68081731:_____/12:00386449 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Mapping of dopants in silicon by electron injection

Popis výsledku v původním jazyce

Dopants in sillicon based structures locally modifty the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. For probing the doped structures usually the elctron beam is used at energies around 1keV. However, the very low landing energy range has proven itself an effecient tool for mapping dopant in semiconductors.

Název v anglickém jazyce

Mapping of dopants in silicon by electron injection

Popis výsledku anglicky

Dopants in sillicon based structures locally modifty the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. For probing the doped structures usually the elctron beam is used at energies around 1keV. However, the very low landing energy range has proven itself an effecient tool for mapping dopant in semiconductors.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Physic and Nanoscale. (Proceedings of the 10th IUVSTA International Summer School )

ISBN

978-80-260-0619-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

—

Název nakladatele

IOP AS CR

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Devět skal

Datum konání akce

30. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—