Transmission mode in scanning low enery electron microscope

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F10%3A00350667" target="_blank" >RIV/68081731:_____/10:00350667 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Transmission mode in scanning low enery electron microscope

Popis výsledku v původním jazyce

We incorporated the cathode lens (CL) principle, well known from the emission microscope, to the SEM in order to operate at very low landing energies. The primary beam electrons of several keV are decelerated to nearly zero energy of landing on the specimen negatively biased to high potential. Reflected electrons are collected on a grounded detector situated above the sample but the same can be done below the sample of a fair transparency for electrons. High collection efficiency and high amplificationof both detectors is secured thanks to the cathode lens field. We use a scintillation detector for the reflected mode and a semiconductor structure for the transmitted electron (TE) mode. In this arrangement resolution of few nm is obtainable across thefull energy range.

Název v anglickém jazyce

Transmission mode in scanning low enery electron microscope

Popis výsledku anglicky

We incorporated the cathode lens (CL) principle, well known from the emission microscope, to the SEM in order to operate at very low landing energies. The primary beam electrons of several keV are decelerated to nearly zero energy of landing on the specimen negatively biased to high potential. Reflected electrons are collected on a grounded detector situated above the sample but the same can be done below the sample of a fair transparency for electrons. High collection efficiency and high amplificationof both detectors is secured thanks to the cathode lens field. We use a scintillation detector for the reflected mode and a semiconductor structure for the transmitted electron (TE) mode. In this arrangement resolution of few nm is obtainable across thefull energy range.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/IAA100650902" target="_blank" >IAA100650902: Rastrovací prozařovací elektronová mikroskopie s velmi pomalými elektrony</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

ISBN

978-80-254-6842-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Skalský dvůr

Datum konání akce

31. 5. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—