Field emission properties of sharp tungsten cathodes coated with a thin resilient oxide barrier

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F21%3A00554500" target="_blank" >RIV/68081731:_____/21:00554500 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26220/21:PU142355

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9600704" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/9600704</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/IVNC52431.2021.9600704" target="_blank" >10.1109/IVNC52431.2021.9600704</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Field emission properties of sharp tungsten cathodes coated with a thin resilient oxide barrier

Popis výsledku v původním jazyce

This research is aimed towards more in-depth understanding of field emission properties of tungsten single tip field emitters (STFEs) coated with tens of nanometer thin barrier of selected refractory oxides such as Al2O3. Introducing the additional barrier into metal-vacuum interface system of the emitter can be beneficial for an improvement of its performance. The pristine tungsten emitters were prepared using a two-step electrochemical drop-off etching technique. Thin oxide barriers were prepared by using low-temperature atomic layer deposition (ALD). Field emission was studied in field emission microscope (FEM) working in UHV vacuum (< 1x10(-7) Pa), experimental field emission data were analyzed by the so-called Murphy-Good plots, revealing the non-orthodox behavior of the prepared emitters.

Název v anglickém jazyce

Field emission properties of sharp tungsten cathodes coated with a thin resilient oxide barrier

Popis výsledku anglicky

This research is aimed towards more in-depth understanding of field emission properties of tungsten single tip field emitters (STFEs) coated with tens of nanometer thin barrier of selected refractory oxides such as Al2O3. Introducing the additional barrier into metal-vacuum interface system of the emitter can be beneficial for an improvement of its performance. The pristine tungsten emitters were prepared using a two-step electrochemical drop-off etching technique. Thin oxide barriers were prepared by using low-temperature atomic layer deposition (ALD). Field emission was studied in field emission microscope (FEM) working in UHV vacuum (< 1x10(-7) Pa), experimental field emission data were analyzed by the so-called Murphy-Good plots, revealing the non-orthodox behavior of the prepared emitters.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2021 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC)

ISBN

978-1-6654-2589-6

ISSN

2380-6311

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

(2021)

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

online

Datum konání akce

5. 7. 2021

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000742045500077