Study of Dielectric Nanolayers and Multilayer Coated Emitters

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F23%3A00574102" target="_blank" >RIV/68081731:_____/23:00574102 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26220/23:PU148850

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/10188949" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/10188949</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/IVNC57695.2023.10188949" target="_blank" >10.1109/IVNC57695.2023.10188949</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of Dielectric Nanolayers and Multilayer Coated Emitters

Popis výsledku v původním jazyce

We report a fabrication method of multilayer coating of single tip field emitters. Tungsten field emitters coated with a multilayer of refractory oxides such as Al2O3, HfO2, which act as an additional potential barrier in the metal-vacuum system. Introducing additional barriers to the emitter's metal vacuum interface system can alter its emission characteristics. Thin oxide barriers were prepared using a recipe that involved the use of low-temperature atomic layer deposition. The parameters of the grown layers were studied by local electron atom probe tomography, field ion microscopy, and scanning transmission microscopy.

Název v anglickém jazyce

Study of Dielectric Nanolayers and Multilayer Coated Emitters

Popis výsledku anglicky

We report a fabrication method of multilayer coating of single tip field emitters. Tungsten field emitters coated with a multilayer of refractory oxides such as Al2O3, HfO2, which act as an additional potential barrier in the metal-vacuum system. Introducing additional barriers to the emitter's metal vacuum interface system can alter its emission characteristics. Thin oxide barriers were prepared using a recipe that involved the use of low-temperature atomic layer deposition. The parameters of the grown layers were studied by local electron atom probe tomography, field ion microscopy, and scanning transmission microscopy.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2023 IEEE 36th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC)

ISBN

979-8-3503-0143-4

ISSN

2164-2370

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

53-54

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Cambridge, MA

Datum konání akce

10. 7. 2023

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

001042193300019