Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F01%3A02010188" target="_blank" >RIV/68378271:_____/01:02010188 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure.
Popis výsledku v původním jazyce
Intrinsic microcrystalline silicon samples were prpared close to the border between microcrystalline and amorphous grouwth in order to obtain a thick transition layer which allowed a detailed study of relation of transport and microstructure.
Název v anglickém jazyce
Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure.
Popis výsledku anglicky
Intrinsic microcrystalline silicon samples were prpared close to the border between microcrystalline and amorphous grouwth in order to obtain a thick transition layer which allowed a detailed study of relation of transport and microstructure.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Solid State Phenomena
ISSN
1012-0394
e-ISSN
—
Svazek periodika
80-81
Číslo periodika v rámci svazku
N/A
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
12
Strana od-do
213-224
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—